军委装备发展部信息系统局于年8月7日通过全军武器装备采购信息网发布了9项电子元器件科研项目研制需求，其中公开项，涉密88项（涉密信息详情须按照网站“服务指南-涉密查询流程”到全军武器装备采购信息网各查询点进行现场查询）。此次评审公告（军委装备发展部信息系统局年电子元器件科研项目评审公告）可通过互联网到全军武器装备采购信息网“采购公告-其他公告”中查询。公开信息详情及相关电子模板可在评审公告附件中下载。本批次信息不需要通过全军武器装备采购信息网对接。
“采购公告-采购需求”新增1条关于海军微波宽带信息传输系统采购需求信息。该信息的对接截止时间为年8月1日，详细信息须按照网站“服务指南-涉密查询流程”到全军武器装备采购信息网各查询点（北京、重庆、上海、沈阳、西安、深圳）进行现场查询。
电子元器件科研项目研制需求公开的项项目详情如下：
序号
项目
编号
项目名称
主要性能指标
1
WJ
18G、G自主通用型交换芯片系列
共个品种：主要功能描述：支持VLAN，支持超长帧≥9kb，支持Ipv4和IPv6。品种1：中央报文缓存区≥MB；可配置支持48个1G+8个10G端口或1个10G端口。品种：中央报文缓存区≥6MB，支持VxLan，可配置支持48个10G或3个10G+4个40G端口。
WJ
0G、40G网络处理器芯片系列
共个品种：主要功能描述：支持多级流表，支持处理资源动态映射与调度。品种1：单向包处理能力0G，包转发率8MPPS，可配置支持个10G接口或1个10G接口+10个1G接口两种模式。品种：单向包处理能力40G，包转发率56MPPS，可配置支持4个10G接口或个10G接口+0个1G接口两种模式。
3
WJ3
高速以太网接口及控制电路
共7个品种：品种1：支持10BASE-T/BASE-TX/1BASE-T以太网电接口；支持BASE-FX/1BASE-X以太网光接口；支持同步以太网功能。品种：10//1BASE-TGigabitPHY芯片，支持GMII，RGMII，SGMII，SerDes，TBI，RTBI和MII；MAC多种模式接口。品种3：支持.5G以太网数据传输；支持低功耗模式；支持MDIO接口；支持引脚配置功能。品种4：支持5G以太网数据传输；支持低功耗模式；支持MDIO接口；支持引脚配置功能。品种5：支持10G以太网数据传输。接口速率：1.5Gbps；支持低功耗模式。品种6：千兆网卡芯片；电源电压V：I/O：3.3；内核V：1.；功耗W：≤3。品种7：四路1Base-X高速接口，具备1路MDIO接口；具有冗余时分总线控制，支持16路交换；具有CotexM3内核，主频不小于70MHz。
4
WJ4
通用高性能图形处理器（GPU）
1个品种：单精度浮点性能：（GFlops）；像素填充率：3（GPixels/s）；纹理填充率：64（GT/s）。
5
WJ5
军用多核64位处理器（CPU）
1个品种：集成4个处理器核；内核工作频率：MHz；DDR3工作频率：MHz。
6
WJ6
高性能多核64位处理器（CPU）
1个品种：集成4个高性能64位处理器核；主频.GHz；L1指令和数据Cache分别不小于3KB；LCache不小于4MB。
7
WJ7
高性能嵌入式多核3位处理器（CPU）
1个品种：最高主频：1.GHz，集成4核；I-Cache：3KB，D-Cache：3KB。
8
WJ8
高性能通用控制器
1个品种：芯片集成个基于64位处理核心，支持双精度浮点，一级缓存18KB，二级缓存51KB，核心工作频率MHz。
9
WJ9
高可靠航发控制系统用微控制器
1个品种：工作主频：不低于13MHz；MB的Flash、56KB的SRAM，具有ECC功能。
10
WJ
敌我识别中频信号处理器芯片
1个品种：数据输入：14bit，数据采样率：≥MSPS；数据输出：16bit，速率：≥Mbps；内核处理工作频率：≥MSPS。
11
WJ
3D封装DDRSDRAM系列
共4个品种：品种1：1Gbit；位宽：64bit；工作电压：.5V±0.V。品种：1Gbit；位宽：7bit；工作电压：.5V±0.V。品种3：Gbit；位宽：64bit；工作电压：.5V±0.V。品种4：Gbit；位宽：7bit；工作电压：.5V±0.V。
1
WJ
1.5Gbps超低传输延时收发芯片
共个品种：品种1：发送芯片。串行数据率：1.5Gbps；LVDS输入时钟频率：65MHz；传输延迟：≤0ns。
品种：接收芯片。串行数据率：1.5Gbps；传输延迟：≤0ns。
13
WJ3
低功耗高速收发器系列
共3个品种：品种1、品种、品种3：数据率：8、1.5、16Gbps；输入数据位宽：40、3、0、16bit可编程；发送端输出摆幅：～mV可编程。
14
WJ4
PCIE3.0接口电路
1个品种：集成6lanePCIE3.0通道，最多可以支持6个PCIE3.0端口；支持3D/D图形显示及两路显示输出接口。
15
WJ5
10位AD转换器
1个品种：最高支持采样率5GSPS；10bit采样位数。
16
WJ6
宽带AD转换器
共个品种：品种1：分辨率：1Bit；最高采样率：3GSPS。品种：分辨率：14Bit；最高采样率：1.5GSPS。
17
WJ0
4位超高精度AD转换器系列
共3个品种：品种1、品种：高性能4位高精度ADC，分辨率4位；速率：65Ksps；最大时钟频率：40MHz。品种3：分辨率：4位，采样速率≤ksps。
18
WJ8
高速AD转换器
共个品种：产品1：双通道；.5GSPS，1bit分辨率。产品：双通道；分辨率14比特，采样率1.5GSPS。
19
WJ9
高速、高压DA转换器系列
共4个品种：品种1：采样率：1GSa/s；分辨率：1bit；带宽：DC～4.8GHz。品种：多输出模式16位6GSPS/1GSPSRF-DAC；分辨率：16Bit；最高转换速率：1GSPS。品种3：集成DDS功能的16位1GSPSRF-DAC；DAC分辨率：16Bit；最高转换速率：1GSPS。品种4：4通道16位DAC芯片；电流输出范围：0-0mA、4-0mA、0-4mA；电压输出范围：0-5V、0-10V、±5V、±10V。
0
WJ
低延迟LVDS接口高速AD/DA转换器
共个品种：品种1：1位1.5GSPSADC，采用低延迟转换结构，并行LVDS接口输出；延时：≤5clockcycles。品种：1位3GSPSDAC，采用低延迟转换结构，并行LVDS接口输入；延时：≤3.5clockcycles。
1
WJ
谐振控制器
共3个品种：品种1、品种、品种3：工作电压：1V～0V；基准电压：4.85V～5.15V；运放输入失调电压：-10mV～10mV；电源电流：≤3mAV。
WJ00
数字控制DC/DC电源转换器系列
共4个品种：品种1：输出电压范围：0.54V～5.5V；输入电压范围：4.5V～14V；工作频率：00K～1.33MHz。品种：输出电压范围：0.6V～5V；输入电压范围：3V～14V；工作频率：00K～1.4MHz。品种3：双输出，两相位数字DC/DC控制器：输入电压范围：4.5V～14V；输出电压范围：0.54V～5.5V。品种4：单相同步整流降压型数字混合式DC/DC控制器：输入电压范围：4.5V～4V；输出电压范围：0.5V～5.5V；工作频率：0.6MHz～1.66MHz。
3
WJ
宽压大功率DC/DC电源转换器系列
共4个品种：品种1：Vin输入电压范围：4.5V～18V；输出电压范围：0.76～7.0V；带载能力：4A。品种：Vin输入电压范围：4.5V～18V；输出电压范围：0.76～7.0V；带载能力：5A。品种3：Vin输入电压范围：4.5V～18V；输出电压范围：0.76～7.0V；带载能力：6A。品种4：Vin输入电压范围：4.5V～36V；输出电压范围：0.8～3V；带载能力：A。
4
WJ
双通道数字控制DC/DC稳压器
共3个品种：品种1：双通道9A数字电源，输入电压：4.5V～17V；输出电压：0.5V～5.5V。品种：双通道13A数字电源，输入电压：4.5V～6.5V；输出电压：0.5V～5.5V。品种3：双通道18A数字电源，输入电压：4.5V～16V；输出电压：0.5V～1.8V。
5
WJ
超低噪声多通道电压调整器
共6个品种：品种1、品种、品种3：输出通道数：4、4、1；输出电压：可调；输出电压精度：±%、±3%、±%；输出电流mA：10、、；最高输入电压V：5.6、5.6、5.5。
品种4、品种5、品种6：输出通道数：1、1、1；输出电压V：.5、5、3.3；输出电压精度：±3%、±3%、±.4%；输出电流mA：、、；最高输入电压V：0。
6
WJ
模拟开关电路系列
共7个品种：品种1、品种、品种3、品种4、品种5：MAXX系列：导通电阻：≤1.0Ω；导通时间：≤ns；关断时间：≤60ns；电源电压：1.8V～5.5V。品种6：导通电阻：≤15Ω；导通时间：≤75ns；关断时间：≤35ns；电源电压：±4.5V～±0V；电源电流≤-5μA～5μA。品种7：导通电阻：≤45Ω；导通时间：≤ns；关断时间：≤ns；电源电压：±4.5V～±0V；电源电流≤50μA。
7
WJ
高温电压调整器/电压比较器
共个品种：品种1：输入电压：5.5V～30V；输出电压：5V±5%。品种：工作电压：4.5V～5.5V；最大工作频率：5MHz。工作温度：-55℃～℃。
8
WJ
超宽带高速跟踪/采样保持电路
共个品种：品种1：最高采样率：4GSPS；输入带宽：≥18GHz；无杂散动态范围：≥53dBc
fin=8GHz；功耗：≤1.6W。品种：最高采样率：4GSPS；输入带宽：≥18GHz；无杂散动态范围：≥50dBcfin=8GHz；功耗：≤.5W。9
WJ
电机驱动器系列
共4个品种：品种1：双通道；内置MOSFET；最大电压90V；最大峰值输出电流1A；工作电压：8～14V。品种：双通道；内置MOSFET；最大电压V；最大峰值输出电流A；工作电压：8～14V。品种3：双通道；内置MOSFET；最大电压4V；最大峰值输出电流.5A；工作电压：8.～45V。品种4：双通道；内置MOSFET；最大电压4V；最大峰值输出电流6.0A；工作电压：8～5.5V。
30
WJ0
FLASH型可编程器件
1个品种：最高频率：MHz；IO电压：3.3V/.5V/1.8V/1.5V；块RAM容量：≥Kb；器件工艺：FLASH。
31
WJ1
大动态高精度数字式单片陀螺仪信号调理电路
共个品种：品种1：量程：±°/s～±0°/s；支持的输入电容：0.1～16pF；线性度：18bits。品种：量程：±0°/s～±°/s；支持的输入电容：0.1～16pF；线性度：16bits。
3
WJ
微小体积光纤陀螺信号处理SiP系列
共3个品种：品种1：ADC分辨率：1bit；ADC采样率：≥40MHz；Y波导最大驱动电压：≥8V。品种：ADC分辨率：14bit；ADC采样率：≥10MHz；Y波导驱动最大电压：≥1V。品种3：ADC分辨率：14bit；ADC采样率：≥40MHz；Y波导驱动最大电压：≥1V。
33
WH
数字控制70V输出AC/DC电源模块
共3个品种：品种1：模块输入：三相三线85-VrmsL-N；70V输出；非隔离；标准全砖。品种：模块输入：单相85-64VrmsL-N；70V输出；非隔离；标准全砖。品种3：模块输入：输入三相三线-VrmsL-L；70V输出；非隔离；标准全砖。
34
WH
大功率AC/DC电源模块
共6个品种：品种1、品种、品种3：W系列：输出电压：1V、8V、48V；最大输出电流：4A、18A、10.5A；交流输入：85-65VAC，47-63Hz。品种4、品种5、品种6：1W系列：输出电压：1V、8V、48V；最大输出电流：60A、36A、1A；交流输入：85-65VAC，47-63Hz。
35
WH3
数字控制大功率DC/DC电源模块
共8个品种：品种1、品种、品种3、品种4：输出电压：5V，1V，15V，8V；输入电压范围：16V～40V；额定输入电压：8V。品种5、品种6、品种7、品种8：输入电压：16V～40V；输出电流功率：50A/W（1V/50A）、5A/W（4V/5A）、A/W（8V/A）、1.5A/W（48V/1.5A）。
36
WH4
3.6-36V输入电压DC/DC变换器
共6个品种：品种1：输入电压3.6-36V，输出电压0.8-10V，最大输出电流1A。品种：输入电压3.6-36V，输出电压0.8-10V，最大输出电流A。品种3：输入电压3.6-36V，输出电压0.8-4V，最大输出电流3A。品种4：输入电压3.6-36V，输出电压0.8-10V，最大输出电流1A。品种5：输入电压3.6-36V，输出电压0.8-10V，最大输出电流A。品种6：输入电压3.6-36V，输出电压0.8-4V，最大输出电流3A。
37
WH5
70V母线输入大功率DC/DC变换器系列
共8个品种：品种1：输入电压：V～V；输出电压/电流：3.3V/90A。品种：输入电压：V～V；输出电压/电流：4V/30A。品种3：输入电压：V～V；输出电压/电流：8V/5A。品种4：输入电压：V～V；输出电压/电流：48V/15A。品种5、品种6、品种7、品种8：输入电压～V；输出电压单路1V、15V、8V、±1V；输出电流：5A、4.33A、.3A、.5A。
38
WH6
V母线输入大功率DC/DC变换器系列
共4个品种：品种1、品种、品种3、品种4：输出电压：5V，1V，8V，36V；输入电压范围40V～45V，额定输入V。
39
WH7
输出电压可调稳压器系列
共个品种：品种1：输入电压范围：Vout+1V～6V；输出电流：5A；基准电压：1.V～1.6V。品种：输入电压范围：Vout+1.5V～Vout+35V；输出电流：3A；基准电压：1.V～1.7V。
40
WH8
EMI滤波器系列
共4个品种：品种1：输入电压范围：0～50V；输出电流：0～15A。品种：输入电压范围：0～50V；输出电流：0～3A。品种3：输入电压范围：0～50V；输出电流：0～1A。品种4：输入电压范围：0～50V；输出电流：0～A。
41
WQ
V（5A-A）系列IGBT芯片
共3个品种：品种1：击穿电压：V；电流：5A；阈值电压：5.0～6.5V。品种：击穿电压：V；电流：50A；阈值电压：5.0～6.5V。品种3：击穿电压：V；电流：A；阈值电压：5.0～6.5V。
4
WQ
V（5A-A）系列IGBT芯片
共3个品种：品种1：击穿电压：V；电流：5A；阈值电压：5.3～6.3V。品种：击穿电压：V；电流：50A；阈值电压：5.3～6.3V。品种3：击穿电压：V；电流：A；阈值电压：5.3～6.3V。
43
WQ3
V(A、00A)大电流IGBT芯片
共个品种：品种1：集电极发射极电流Ic：A；集电极发射极反向击穿电压BVces：V；集电极发射极饱和压降Vcesat：.15V。品种：集电极发射极电流Ic：00A；集电极发射极反向击穿电压BVces：V；集电极发射极饱和压降Vcesat：.15V。
44
WQ4
V（5A-A）系列IGBT芯片
共3个品种：品种1：击穿电压：V；电流：5A；阈值电压：5.～6.4V。品种：击穿电压：V；电流：50A；阈值电压：5.～6.4V。品种3：击穿电压：V；电流：A；阈值电压：5.～6.4V。
45
WQ5
VSiC混合IGBT半桥模块系列
3个品种：品种1：集电极发射极电流Ic：A；集电极-发射极电压VCES：V；集电极-发射极饱和电压VCEsat：1.75V。品种：集电极发射极电流Ic：A；集电极-发射极电压VCES：V；集电极-发射极饱和电压VCEsat：1.8V。品种3：集电极发射极电流Ic：A；集电极-发射极电压VCES：V；集电极-发射极饱和电压VCEsat：1.8V。
46
WQ6
IGBT高压栅驱动芯片
共个品种：品种1、品种：Voffset(MAX)：V；Vin：10V‐0V；Io+/-：≥/70mA，≥97/50mA；Ton/off：≤80/0ns，≤/80ns。
47
WQ7
军用大电流功率MOSFET
共5个品种：品种1：最大允许耗散功率：15W；漏源击穿电压：-V；漏极电流：-31A。品种：最大允许耗散功率：W；漏源击穿电压≥V；漏极电流≤A。品种3：耗散功率：00W；栅源电压：VGS=±30V；漏源击穿电压：V(BR)DSS=V。品种4：VDSSV，Rds(on)＜0.11Ω；ID45A；%雪崩测试。品种5：VDSS最小V；最大通流：75A；PD：00W；VGS：±0；IDSS：50uA。
48
WQ8
大电流肖特基功率二极管
共4个品种：品种1：IF(AV)：45A；VRRM(PerLeg)≥V；IFSM：A。品种：IF(AV)：45A；VRRM(PerLeg)≥45V；IFSM：A。品种3：IF(AV)：90A；VRRM(PerLeg)≥V；IFSM：50A。品种4：IF(AV)：80A；VRRM(PerLeg)≥45V；IFSM：50A。
49
WQ9
低损耗超级整流二极管系列
共4个品种：品种1：击穿电压：V；正向电压VF≤0.85V；正向电流：10A。品种：击穿电压：00V；正向电压VF≤0.85V；正向电流：10A。品种3：击穿电压：50V；正向电压VF≤1.05V；正向电流：10A。品种4：击穿电压：V；正向电压VF≤1.05V；正向电流：10A。
50
WQ
V碳化硅肖特基二极管
共个品种：品种1：正向压降VF≤1.9V
IF=5A，Tj=5℃；反向漏电流IR≤00μAVR=V，Tj=5℃；连续工作电流：50A。品种：正向压降VF≤VIF=5A，Tj=5℃；反向漏电流IR≤00μAVR=V，Tj=5℃；连续工作电流：35A。51
WW
宽带低噪声放大器MMIC
共7个品种：品种1：工作频率：0.-.0GHz，增益：0dB，P1dB≥0dBm。品种：工作频率：0.1-0GHz，增益：0dB，P1dB≥0dBm。品种3：工作频率：0-40GHz，增益：0dB，P1dB≥17dBm。品种4：工作频率：18-40GHz；增益：9dB。品种5：工作频率：40-75GHz；增益：15dB；噪声系数＜5dB。品种6：工作频率：75-GHz；增益：13dB；噪声系数：＜5dB。品种7：工作频率：9-96GHz；增益：18dB；噪声系数＜3dB。
5
WW
毫米波混频器MMIC
共3个品种：品种1：射频频率：40-75GHz；中频频率：0-1GHz。品种：射频频率：60-96GHz；中频频率：0-1GHz。品种3：输入频率：75-GHz；中频频率：0-1GHz。
53
WW3
毫米波倍频器MMIC
共个品种：品种1：输出频率：79-96GHz；输出功率：-11dBm。品种：输出频率：75-GHz；输出功率：-11dBm。
54
WW4
W波段开关MMIC
共4个品种：品种1：SPST开关频率：9-96GHz；插入损耗：1.6dB；隔离度：＞40dB。品种：SPST开关频率：75-GHz；插入损耗：.0dB；隔离度：＞30dB。品种3：SPDT频率：9-96GHz；插入损耗：1.6dB；隔离度：＞30dB。品种4：SPDT频率：75-GHz；插入损耗：.5dB；隔离度：＞5dB。
55
WW5
W波段限幅器MMIC
共个品种：品种1：频率：9-96GHz，驻波：＜1.5；限幅电平：15dBm。品种：频率：75-GHz，驻波：＜.0；限幅电平：15dBm。
56
WW6
限幅低噪声放大器MMIC
共5个品种：品种1：1.GHz～1.4GHz：增益≥35dB；噪声：≤1.0dB。品种：.7GHz～3.5GHz：增益≥8dB；噪声：≤1.dB。品种3：5GHz～6GHz：增益≥4dB；噪声：≤1.3dB。产品种4：8GHz～1GHz：增益≥3dB；噪声：≤1.8dB。品种5：14GHz～18GHz：增益≥3dB；噪声：≤.0dB。
57
WW7
GaAs变频多功能MMIC
共3个品种：品种1：8GHz-1GHz变频多功能系列（集成双向放大）技术指标：射频频率范围：8GHz-1GHz；本振频率范围：10GHz～16GHz；中频频率范围GHz～4GHz。品种：6GHz-18GHz变频多功能（集成双向放大）射频频率范围：6GHz～18GHz；本振频率范围：6GHz～18GHz；中频频率范围DC～6GHz。品种3：3GHz-4GHz变频多功能（集成双向放大）射频频率范围：3GHz～4GHz；本振频率范围：4GHz～5GHz；中频频率范围0.5GHz～1.5GHz。
58
WW8
微波对数放大器
共个品种：品种1：主要功能描述：线性动态范围59dB（-54dBm到+5dBm），工作频率：0.1-0GHz。品种：主要功能描述：线性动态范围47dB（-49dBm到-dBm），工作频率：18-4GHz。
59
WW9
毫米波频率源
共个品种：品种1：输出频率：4GHz～3GHz；输出功率：0dBm；相位噪声：≤-90dBc/Hz
10kHz。品种：输出频率：3GHz～40GHz；输出功率：0dBm；相位噪声：≤-90dBc/Hz10kHz。60
WW
星载小型化宽带检测电路
共4个品种：品种1：工作频段：1MHz～8GHz，平坦度：≤dB，输入动态范围：-10～10dBm，最小脉宽：ns。品种：工作频段：8～18GHz，平坦度：≤3dB，输入动态范围：-10～10dBm，最小脉宽：ns。品种3：工作频段：18～6.5GHz，平坦度：≤4dB，输入动态范围：-10～10dBm，最小脉宽：ns。品种4：工作频段：6.5～40GHz，平坦度：≤5dB，输入动态范围：-10～10dBm，最小脉宽：ns。
61
WG
高灵敏度长波51×8数字化TDI红外探测器杜瓦组件
1个品种：阵列规模：51×8；TDI像元数：8元参与3级TDI；光敏元尺寸（推扫方向×垂直推扫方向）：40μm×40μm。
6
WG
弹载用斯特林制冷机
共个品种：品种1：1W
80K制冷机：1.0W80K/3℃，0.6W80K/70℃。品种：1.5W80K制冷机：1.5W80K/3℃，1.0W80K/70℃。降温时间：1.5W80K制冷机：≤10min0J/3℃，≤15min0J/70℃。63
WG3
低功耗即开即用型固体激光器
共个品种：品种1：输出波长：～1μm；脉冲能量≥80mJ；重复频率：0Hz。品种：输出波长：～1μm；脉冲能量：≥40mJ；重复频率：0Hz。
64
WG4
nm半导体激光器系列
共个品种：品种1：带制冷品种：峰值波长：～1μm；阈值电流：≤30mA；全温峰值波长变化nm：≤0.8。品种：无制冷品种：峰值波长：～1μm；阈值电流：≤30mA（室温）。
65
WG5
00W半导体激光器芯片
1个品种：额定输出功率：＞00W；中心波长：～1μm；光谱宽度(FWHM)：≤4nm；电光效率：＞60％（连续激光功率≥00W时）。
66
WG6
超高速多路并行光收发组件
共4个品种：品种1：并行电通道数：4；单通道速率：≥5Gbps；光接口：单路单模光纤；误码率：≤10-1。品种：通道数4；单通道速率≥5Gbps，波长nm，消光比≥3dB。品种3：通道数1；单通道速率≥5Gbps，波长nm，消光比≥3dB。品种4：通道数4；单通道速率≥5Gbps，波长nm，消光比≥3dB。
67
WG7
水下高速无线光通信组件
共1个品种：单向传输速率：≥.5Gbps；出光功率：≥-3dBm。
68
WG8
多芯多模柔软铠装光缆
共3个品种：品种1、品种、品种3：光纤类型：多模光纤；光纤数（根）：1、8、48；外径（mm）：≤3.5（1芯），≤9.5（8芯），≤11（48芯）；衰减系数（dB/km）：≤3.5(nm)，≤1.5(1nm)。
69
WG9
高精度小型化光纤陀螺用薄涂覆层保偏光纤
共个品种：品种1：工作波长：nm；拍长：≤3mm；偏振串音：≤-5.0dB。品种：工作波长：nm；拍长：≤4.0mm；偏振串音：≤-5.0dB。
70
WG
超宽带精密可调光纤延时组件
共个品种：品种1：C波段可调光纤延时组件：工作频段：1GHz～6GHz；噪声系数：≤4dB；无杂散动态范围：≥dB-Hz/3。品种：Ku波段可调光纤延时组件：工作频段：6GHz～18GHz；噪声系数：≤40dB；无杂散动态范围：≥dB-Hz/3。
71
WG
高温光纤动态气压传感器
共3个品种：品种1、品种、品种3：压力测量范围：0MPa～6MPa、0MPa～10MPa、0MPa～30MPa；气压敏感部件工作温区：-40℃～℃；
7
WG
小尺寸高精细度液晶显示屏系列
共个品种：品种1：分辨率：×；有效显示面积（mm）：（35.5±0.5）×（8.4±0.5）；非均匀性：≤15%。品种：分辨率：×；有效显示面积（mm）：（75.±0.15）×(60.93±0.15)。
73
WG3
0.77英寸高亮度绿光硅基OLED微型显示器
共个品种：品种1：显示介质：单色AMOLED；有效显示面积：(15.±0.)mm×(1.90±0.)mm；(0.77英寸)；分辨率：×。品种：显示介质：单色AMOLED；有效显示面积：(15.±0.)mm×(1.90±0.)mm；(0.77英寸)；分辨率：×。
74
WZ
锌/空气燃料电池系列
共3个品种：品种1、品种、品种3：额定功率：50W、W、W；额定容量：不小于Ah、不小于10Ah、不小于Ah。
75
WZ
柔性高效太阳电池
1个品种：转换效率（AM0，5℃）≥31%；开路电压≥.9V。
76
WZ3
环形铁芯有限转角力矩电机
共4个品种：品种1：峰值堵转电压8.5V；峰值堵转电流≤1.5A；峰值堵转转矩≥0.01Nm。品种：峰值堵转电压4V；峰值堵转电流≤3A；峰值堵转转矩≥0.1Nm。品种3：峰值堵转电压4V；峰值堵转电流≤4A；峰值堵转转矩≥0.Nm。品种4：峰值堵转电压8V；峰值堵转电流≤.8A；峰值堵转转矩≥0.5Nm。
77
WZ4
高功率密度无刷舵机电机
共4个品种：品种1：外形尺寸：8；功率W。品种：外形尺寸：36；功率W。品种3：外形尺寸：54；功率1W。品种4：外形尺寸：64；功率W。
78
WZ5
高速永磁同步发电机
共6个品种：品种1：额定转速：4/min～5r/min；额定电流：6.5A。品种：额定转速：90r/min～15r/min；输出通道数：1通道。品种3：额定转速：30r/min～55r/min；额定电流：30A。品种4：额定转速：4r/min～8r/min；输出通道数：1通道。品种5：额定转速：45/min；额定相电压：35.7V±5V。品种6：额定转速：（47±50）r/min；输出通道数：通道。
79
WZ6
多通道冗余抗短路发电机
共5个品种：品种1：转速范围：0～r/min；输出通道数：3通道。品种：转速范围：0～8r/min；输出通道数：通道。品种3：转速范围：r/min～3r/min；输出通道数：通道。品种4：转速范围：0～7r/min（%）；输出通道数：5通道。品种5：转速范围：0～45r/min（%）；输出通道数：通道。
80
WZ7
航天失电制动器
共4个品种：品种1、品种、品种3、品种4：静制动力矩：≥0.10～1.6N.m；额定直流电压：1～8V；制动器功率：～5W。
81
WZ8
旋转关节式射频同轴连接器组件
共个品种：品种1、品种：采用标准SMA/SSMA接口，连接器组件径向旋转关节可40°内8节点自由限位固定。使用频率：DC～3GHz；插入损耗：≤1dB；特性阻抗：50Ω±Ω。
8
WZ9
气密封大功率射频同轴连接器
共5个品种：品种1：频率范围0.05GHz～11GHz；电压驻波比≤1.35；插入损耗≤0.5dB。品种：频率范围0.05GHz～18GHz；电压驻波比≤1.5；插入损耗≤0.8dB。品种3：频率范围0.05GHz～9GHz；电压驻波比≤1.35；插入损耗≤0.9dB。品种4：频率范围0.05GHz～3GHz；电压驻波比≤1.35；插入损耗≤1.0dB。品种5：频率范围0.05GHz～3GHz；电压驻波比≤1.35；插入损耗≤1.0dB。
83
WZ
10Gbps高速耐环境圆形高密度I/O连接器
共4个品种：品种1、品种、品种3、品种4：芯数：8，8，66，；额定电流：3A；额定电压：30VDC；低电平接触电阻：＜0mΩ；传输速率：10Gbps。
84
WZ
盲插式带压插拔流体连接器
共3个品种：品种1、品种、品种3：通径为5mm、8mm、1mm的产品，特性功能为可实现0.6MPa以下带压插拔；工作压力：0—1.5MPa。
85
WZ
总线连接器
共8个品种：品种1、品种、品种3：芯数：4、8、1芯；特性阻抗：?；传输速率：1.65Gbps；串扰：＜5%。品种4、品种5、品种6、品种7、品种8：芯数：1芯、芯、4芯、6芯、8芯；特性阻抗：Ω；最大传输速率：Mbps；额定电流：1A；插入损耗：≤0.5dB
50MHz。86
WZ3
高温密封电连接器
共3个品种：品种1、品种、品种3：接触体数量：3芯、4芯、8芯；工作温度-55℃～℃。
87
WZ4
深水光电连接器
共5个品种：品种1、品种、品种3、品种4、品种5：针孔排列方式：1光，光电，5光电，4光4电，7光5电；耐压范围：不小于30MPa(min)。
88
WZ5
高频双路旋转关节
共个品种：品种1：高频双路同轴旋转关节：支持频段：一个通道支持DC～30.0GHz。另一个通道支持DC～4.5GHz工作。品种：高频双路波导旋转关节：支持频段：1）Ku频段14.0～14.5GHz；)Ka频段：9.40～31.00GHz。
89
WZ6
SMA、SMP同轴高频负载
共3个品种：品种1：SMA系列：频率：DC-GHz。品种：.9系列：频率：DC-40GHz。品种3：SMP系列：频率：DC-40GHz。
90
WZ0
高压直流接触器
共3个品种：品种1：动作时间：≤0ms；10V，00A，10次
10V，A，50次。品种：动作时间：≤0ms；10V,A,10次
10V，50A，50次。品种3：动作时间：≤0ms；70V，00A，10次
70V，A，50次。
91
WZ8
大功率微波开关
共8个品种：品种1、品种：SPDT(单刀双掷)开关、SP4T(单刀四掷)开关：频率范围：0.1GHz～0.4GHz；驻波比：≤1.1。品种3：SP4T(单刀四掷)开关：频率范围：0.1～0.8GHz；驻波比：≤1.3。品种4：SPDT(单刀双掷)开关：频率范围：0.1GHz-4GHz；驻波比：≤1.5。品种5：DPDT(双刀双掷)开关：频率范围：0.1GHz-4GHz；驻波比：≤1.5。品种6：DPDT(双刀双掷)开关：频率范围：0.1GH～8GHz；驻波比：≤1.4。品种7：SPDT(单刀双掷)开关：频率范围：0.1GHz-18GHz；驻波比：≤1.8。品种6：SP3T(单刀三掷)开关：频率范围：0.1GHz-18GHz；驻波比：≤1.8。
9
WZ9
表面安装光-MOS固态继电器
共6个品种：品种1、品种、品种3、品种4、品种5、品种6：输出电路组数：1H、H、4H；输入电流：≤0mA；输出电流：双向±0.5A～1A。
93
WZ
小型气密封微动开关
共3个品种：品种1：额定电压：8VDC，VACHz；接触电阻：≤5mΩ。品种：额定电压：8VDC；接触电阻：≤50mΩ。品种3：额定电压：8VDC；接触电阻：≤50mΩ。
94
WZ
小型大功率电磁断路器
共5个品种：品种1：级数：三极；额定电流：15A；额定电压：0V/VAC(50Hz)，15VDC，V/50VAC(Hz)。品种：级数：二极；额定电流：55A；额定电压：0VAC(50Hz)，15VDC，VAC(Hz)。品种3：级数：二极；额定电流：A；额定电压：0VAC(50Hz)，15VDC，VAC(Hz)。品种4：级数：一极；额定电流：00A；额定电压：0VAC(50Hz)，15VDC，VAC(Hz)。品种5：级数：一极；额定电流：A；额定电压：0VAC(50Hz)，15VDC，VAC(Hz)。
95
WZ00
轻质吊放光（电）复合缆组件
共个品种：品种1、品种：光、光电；光衰减：≤0.4dB/km（nm)；≤0.3dB/km(nm)；比重：≤1.。
96
WY
隔离型微压差传感器
共4个品种：品种1、品种、品种3、品种4：测压范围：0～kPa、7kPa、15kPa、30kPa系列；零点输出：1V±0.0V。
97
WY
微压传感器
共3个品种：品种1、品种、品种3：测量范围（kPa）：0～0.5、0～.5、0～7.5；供电（mA）：1.5±0.1。
98
WY3
高温动态压力传感器
共3个品种：品种1、品种、品种3：测量范围(MPa)：0～0.7，0～7，0～1；准确度（%FS）：±0.3；零点输出（mV）：±5；工作温度：-55℃～℃。
99
WY4
高温转速传感器
共3个品种：品种1、品种、品种3：测量范围（Hz）50～1；50～；50～3；测量精度：0.%FS（℃）；工作温度：-50℃～℃。
WY5
高过载MEMS陀螺仪
共1个品种：抗冲击：16g；测量范围：±1°/s；零偏不稳定性：≤5°/h。
WY6
小型抗振及抗冲击晶体振荡器
共9个品种：品种1、品种、品种3、品种4、品种5：抗振晶振：标称频率40MHz，60MHz，80MHz，MHz，10MHz；静态相噪≤-dBc/Hz
1kHz；动态相噪≤-dBc/Hz1kHz；品种6、品种7、品种8、品种9：抗冲击晶振：标称频率10MHz，40MHz，60MHz，MHz；电源电压3.3V。10
WY7
星用高频高稳恒温晶体振荡器
共4个品种：品种1、品种、品种3、品种4：标称频率：50MHz、80MHz、MHz、10MHz；电源电压：1V；输出波形：正弦波。
WY8
基于多功能芯片的低功耗低相噪恒温晶振
共4个品种，产品指标（常温）：品种1：输出频率8MHz～0MHz，输出功率≥5dBm。品种：输出频率0MHz～40MHz，输出功率≥5dBm。品种3：输出频率40MHz～80MHz，相输出功率≥5dBm。品种4：输出频率80MHz～10MHz，输出功率≥5dBm。
WY9
星载高可靠开关
共4个品种：品种1：中心频率：9.6GHz；工作带宽：0.GHz；电压驻波比：1.。品种：中心频率：17.0GHz；工作带宽：0.GHz；电压驻波比：1.。品种3：中心频率：1.1GHz；工作带宽：0.4GHz；电压驻波比：1.5。品种4：中心频率：35GHz；工作带宽：0.5GHz；电压驻波比：1.3。
WY
超宽带大功率环行器
共4个品种：品种1：工作频率：0.4～GHz；相对带宽：≥5%。品种：工作频率：～8GHz；相对带宽：≥50%。品种3：工作频率：8～18GHz；相对带宽：满带。品种4：工作频率：6.5～40GHz；相对带宽：满带。
WY
小型慢断熔断器
共5个品种：品种1、品种、品种3、品种4、品种5：额定电流：1A/A/3A/5A/7A；熔断时间：1倍额定电流时4小时内不熔断，倍额定电流时熔断时间1s～60s，8倍额定电流时熔断时间0.0s～0.1s。
WY
小型低损耗声表滤波器
共4个品种：品种1：工作频率：.5MHz；带宽：≥1MHz。品种：工作频率：MHz；带宽：≥4.5MHz。品种3：工作频率：MHz；带宽：≥.5MHz。品种4：工作频率：MHz；带宽：≥8MHz。
WY3
星用声表面波滤波器
共10个品种：品种1：中心频率：17.5MHz；插入损耗：≤4dB。品种：中心频率：MHz；插入损耗：≤3.5dB。品种3：中心频率：.6MHz；插入损耗：≤4.0dB。品种4：中心频率：MHz；插入损耗：≤4.0dB。品种5：中心频率：MHz；插入损耗：≤5.0dB。品种6：中心频率：MHz；插入损耗：≤4dB。品种7：中心频率：90.5MHz；插入损耗：≤4dB。品种8：中心频率：MHz；插入损耗：≤5dB。品种9：中心频率：MHz；插入损耗：≤5dB。品种10：中心频率：MHz；插入损耗：≤6dB。
WY4
小型化磁性宽带滤波器
共4个品种：品种1：工作频率：MHz；工作带宽：50MHz；插入损耗：≤3dB。品种：工作频率：MHz；工作带宽：00MHz；插入损耗：≤dB。品种3：工作频率：MHz；工作带宽：MHz；插入损耗：≤1.4dB。品种4：工作频率：0MHz；工作带宽：1MHz；插入损耗：≤dB。
WY5
多阻带数控陷波YIG滤波器
共4个品种：品种1：工作频率：0.9-GHz；阻带数：3；插损：≤6dB。品种：工作频率：-6GHz；阻带数：；插损：≤4dB。品种3：工作频率：-8GHz；阻带数：；插损：≤7.5dB。品种4：工作频率：6-18GHz；阻带数：；插损：≤4dB。
WY6
有机导电聚合物固体电解质钽电容器
共8个品种：品种1：额定电压：6.3V，额定容量：1uF。品种：额定电压：10.0V，额定容量：1uF。品种3：额定电压：16.0V，额定容量：uF。品种4：额定电压：5.0V，额定容量：uF。品种5：额定电压：40.0V，额定容量：uF。品种6：额定电压：50.0V，额定容量：0uF。品种7：额定电压：63.0V，额定容量：uF。品种8：额定电压：75.0V，额定容量：75uF。
11
WY0
片式有机导电聚合物固体电解质铝电容器
共8个品种：品种1：额定电压：.0V，额定容量：uF。品种：额定电压：.5V，额定容量：uF。品种3：额定电压：4.0V，额定容量：0uF。品种4：额定电压：6.3V，额定容量：uF。品种5：额定电压：10.0V，额定容量：uF。品种6：额定电压：1.5V，额定容量：uF。品种7：额定电压：16.0V，额定容量：uF。品种8：额定电压：0.0V，额定容量：68uF。
WY8
飞行器用低漏感高可靠脉冲变压器
共4个品种：品种1：输入电压：10～18V；输出功率：30W；工作频率：50kHz。品种：输入电压：0～30V；输出功率：W；工作频率：40kHz。品种3：输入电压：4～30V；输出功率：W；工作频率：50kHz。品种4：输入电压：80～V；输出功率：W；工作频率：50kHz。
WM
6英寸半绝缘砷化镓衬底材料
1个品种：
直径：±0.4mm；电阻率：≥1×Ω?cm；径向电阻率不均匀性：≤30%；迁移率：≥4cm/V?s；表面质量：双面抛光。
WM
4英寸磷化铟单晶片
1个品种：
直径：±0.3mm；电阻率：≥1E7Ω?cm；迁移率：≥E3cm/V?s；位错密度：≤5E3/cm；表面质量：双面抛光，表面无划痕、崩边、沾污和雾等缺陷。
WM3
表层增益和平面波导高能YAG激光板条
共个品种：
品种1：板条尺寸（mm3）：（±0.0）×（8±0.5）×（11±0.5）；掺杂浓度（at%）：1.5±0.15；波前畸变
nm≤0.1λ/英寸；消光比≥30dB。品种：板条尺寸（mm3）：（5.0±0.0）×（0±0.5）×（75±0.5）；掺杂浓度（at%）：5±0.5；波前畸变
nm≤0.1λ/英寸；消光比≥30dB。WM4
10mmCdZnTe晶体材料
1个品种：
晶体直径：10±mm；衬底尺寸：70mm×70mm；衬底厚度：±50μm；平均位错腐蚀坑密度（EPD）：≤5×cm-；红外透过率（4～cm-1）：≥60%；表面粗糙度（Ra）：≤1nm。
WM5
锂氟化碳电池正极材料
1个品种：
比能量：＞Wh/kg（金属锂负极，截止电压1.5V，0.05C）；比能量：＞1Wh/kg（金属锂负极，截止电压1.5V，1C）；具备年产公斤氟化碳材料能力，提供的合格氟化碳材料累计不低于公斤。
WM6
射频MEMS用区熔硅单晶材料
1个品种：
直径：±0.3mm；电阻率：≥10Ω?cm；型号:P型；
厚度：65±10μm；TTV：≤3μm；Warp：≤15μm。
10
WM7
6英寸SiC电力电子器件用外延材料
1个品种：
外延厚度范围5～μm稳定可控；实现N型掺杂浓度1E14～E19cm-3稳定可控；外延片片内掺杂浓度偏差5%,厚度偏差%；批次间掺杂浓度偏差5%,批次间外延厚度偏差5%。
11
WM8
高阻GaO3单晶材料
1个品种：
晶体尺寸：≥英寸；XRDFWHM：≤50arcsec；电阻率：≥Ω·cm；位错密度：≤cm-；表面粗糙度：≤0.5nm。
1
WM9
3英寸YLF系列激光晶体
共个品种：
产品1：晶坯直径≥φ75mm×mm；掺钕浓度：（0.18±0.05）at%；元件尺寸：（40～50）×（60～70）×（1～4）mm3；消光比≥35dB。
产品：晶坯直径≥φ75mm×mm；晶向：a轴（方向）；掺钬浓度：（1.0±0.1）at%；元件尺寸：（30～40）×（70～80）×（～4）mm3；消光比≥35dB。
13
WM
稀土离子铒镱共掺双折射光导材料
1个品种：
工作波长:-nm；纤芯直径:1±1.5μm；包层直径:±.0μm；涂覆层直径:15±5.0μm；包层衰减
5nm:≤30dB/km；纤芯数值孔径:0.0±0.0；内包层数值孔径:≥0.46。14
WM
3英寸II类超晶格红外焦平面探测器外延材料
1个品种：
尺寸：76.mm±0.5mm；零级峰与衬底的晶格失配≤1×10-3，一级卫星峰半峰宽≤30sec；径向厚度偏差：≤±%；连续生长4片厚度涨落：≤±%；量子效率：≥40%；响应截止波长：≥1.5μm；峰值探测率：D*λ≥6×0cmHz1//W。
15
WM
硅碳材料
共3个品种：
品种1：粒度D50：10～0μm；比表面积：≤4m/g；比容量：≥mAh/g(0.1C，0.01～V,vs.Li+/Li)。
品种：粒度D50：10～0μm；比表面积：≤8m/g；比容量：≥mAh/g(0.1C，0.01～V,vs.Li+/Li)。
品种3：粒度D50：10～0μm；比表面积：≤1m/g；比容量：≥mAh/g(0.1C，0.01～V,vs.Li+/Li)。
16
WM3
钽酸锂晶片
1个品种：
直径：Φ.0±0.0mm；厚度：0.5±0.05mm；居里温度：±3℃；黑化后指标：体积电阻率（Ω·cm）：0.99E+10～9.9E+10；光透过率：＜65%（
nm）。17
WM4
抗辐照稀土永磁材料系列
共3个品种：
产品1：温度系数α（%/℃）：-0.0～+0.0（-55℃～+℃）；剩磁Br（T）：≥0.8；矫顽力HcB(kA/m)：≥50；最大磁能积（BH）max(kJ/m3):±16。
产品：温度系数α（%/℃）：0～-0.05（-55℃～+℃）；剩磁Br（T）：≥0.93；矫顽力HcB(kA/m)：≥；最大磁能积（BH）max(kJ/m3):±16。
产品3：温度系数α（%/℃）：0～-0.（-55℃～+℃）；剩磁Br（T）：≥1.05；矫顽力HcB(kA/m）≥70；最大磁能积（BH）max(kJ/m3):3±16。
18
WM5
抗强电磁脉冲/雷达吸波轻质复合材料
共个品种：
产品1：窄带高功率微波电磁脉冲屏蔽效能：≥60dB；厚度：≤5mm；密度：≤.0g/cm3；拉伸强度：≥MPa；弯曲强度：≥MPa。
产品：窄带高功率微波电磁脉冲屏蔽效能：≥60dB；厚度：≤50mm；密度：≤0.7g/cm3；材料承受下列静载荷，无塑性变形或损坏：均布载荷：3kN/m，集中载荷：面积mm×mm载荷10kN。
19
WP
铝合金一体化封装金属外壳
共个品种：
材料：壳体采用铝合金，盖板采用激光焊适配的铝合金；壳体导热率：≥15W/(m?K)；其他指标符合GJBA-《混合集成电路外壳通用规范》。
WP
电源电路用大电流CLGA外壳
共个品种：
材料：适合布线导体≤7mΩ/□的高温共烧氧化铝陶瓷；最大承载电流：单通道≥8A，双通道≥10A；低电阻端导通电阻：≤0mΩ；导体方阻：≤7mΩ/□；其他指标符合GJBB《半导体集成电路外壳通用规范》。
WP3
高隔离电压CSOP外壳
共个品种：
材料：AlO3,4J4；隔离电压：CSOP16-1.7≥3Vrms；CSOP16-0.≥1Vrms；其他指标符合GJBB《半导体集成电路外壳通用规范》。
13
WP4
高隔离电压CDFN陶瓷外壳
共3个品种：
材料：氧化铝陶瓷,封接环和盖板用4J4铁镍合金；耐压（KV）≥3.5（CDFN4-1.7)；耐压（KV）≥（CDFN6-1.7、CDFN8-1.7)；恒定加速度：30g；平面度：≤0.05㎜；其它指标符合GJBB《半导体集成电路外壳通用规范》。
WP5
0.8mm节距高速FC-CLGA外壳
共个品种：
主要材料：氧化铝陶瓷瓷件、可伐封口环；节距：0.8mm；最高应用采样速度：5GSPS；模拟端信号最高频率：4GHz；插入损耗S1：≤1dB(4GHz)；
电压驻波比：VSWR：≤1.5(4GHz)；导体方阻：≤15mΩ；高速信号路数：≥4；其他指标符合GJBB《半导体集成电路外壳通用规范》。
WP6
SMD阵列陶瓷外壳系列
共个品种：
材料：氧化铝陶瓷，热沉乌铜、钼铜，封口环4J9或4J4。单元个数：≥个；密封区平面度：≤50μm；输入/输出端电阻：≤0mΩ；热阻θjc：≤℃/W；其它指标符合GJBB-《半导体集成电路外壳通用规范》。
WP7
钼铜衬底LTCC一体化封装外壳
共个品种：
引出端数：、5，其中射频引出端数：7、5；材料：底板钼铜、环框可伐、LTCC基板；结构：腔体式结构、平行缝焊结构；高频性能（Ka、Ku波段）：驻波比≤1.3dB；插损≤0.3dB；其他指标符合GJBA-《混合集成电路外壳通用规范》。
WP8
U波段平面传输型陶瓷外壳
共个品种：
材料：可伐墙体；钼铜/钨铜基板；氧化铝陶瓷绝缘子；封装形式：带法兰陶瓷绝缘子金属外壳形式；应用频率：40～60GHz；传输线端子回波损耗：≤-10dB（
40～60GHz）；传输线端子插损：≤3dB（40～60GHz）；射频隔离度：≥30dB（40～60GHz）；其他指标符合GJB93《半导体分立器件外壳通用规范》WP9
抗高过载带圆形光窗金属外壳
共3个品种：
品种1：产品外形尺寸：φ6mm；通光孔直径:≥φ.5mm；透过率:≥99%(λ=nm)；最大抗过载能力:≥30g。
产品：产品外形尺寸：φ9mm；通光孔直径:≥φ3mm；透过率:≥99%(λ=nm)；最大抗过载能力:≥30g。
产品3：产品外形尺寸：φ15mm；通光孔直径:≥φ5mm；透过率:≥99%(λ=nm)；最大抗过载能力:轴向≥16g，径向5g。
其他指标符合GJB《光电器件金属外壳通用规范》
WP
Gbps光电调制解调器金属外壳
共3个品种：
基体材料：不锈钢；结构：腔体式平行缝焊结构；高频传输端子（自制）电压驻波比：≤1.5（Freq≤6.5GHz），≤1.35（Freq≤40GHz），≤1.5（Freq≤65GHz）；其它指标符合GJBA-《混合集成电路外壳通用规范》。
WP
带硒化锌光窗金属外壳
共个品种：
材料：光窗：硒化锌，绝缘子：氧化铝陶瓷，底板：钨铜，边框：铁镍合金，引线：4J9。产品结构：采用陶瓷-金属封装；关键指标：光透率99%以上，工作波段3～1μm；其它指标符合GJB-半导体光电子器件外壳通用规范。
WP
宇航级混合集成电路金属外壳气密性技术攻关
共4个品种：
基体材料：可伐、冷轧钢作为基体材料；封盖形式：平行缝焊（个品种）和储能焊（个品种）；绝缘子：玻璃绝缘子和陶瓷绝缘子；气密性、PIND指标按GJB相关标准执行；引线数：10～30。
WP3
金属外壳铝丝（μm～μm）键合脱键问题技术攻关
共个品种：
分立器件用外壳：℃4h稳定性烘焙、按GJB中方法0试验条件F循环次、15℃1h寿命试验或按产品详细规范试验后，键合强度试验符合标准且不脱键；至少两种外壳：包含SMD外壳和TO外壳；引线包含μm、00μm、μm3种直径铝丝；提供金属外壳粗铝丝键合失效模式分析报告、失效机理分析报告、粗铝丝键合金属外壳在线和出厂的键合检验规范或标准（推荐）、粗铝丝键合的金属外壳使用手册。
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▋来源：全军武器装备采购信息网
▋监制：邹维荣
▋责编：韩阜业
▋编辑：李志勇
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